Поле створене двома одноіменними (позитивними) зарядами по 10нКл кожний, що знаходяться на відстані 15см. Визначте
напруженість та потенціал електричного поля в точці, що
знаходиться на відстані 10см від одного та 12см від
другого заряду.

ответ:

объяснение:

при обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. этот ток называется обратным. т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. p-n-переход при обратном напряжении uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +qобр и –qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. эту емкость называют барьерной емкостью. барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости и уменьшении толщины запирающего слоя. особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость сб, уменьшается. характер этой зависимости показывает график на рисунке. как видно, под влиянием напряжения uобр емкость сб изменяется в несколько раз. зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. при достижении обратным напряжением критического значения uпр обратный ток резко возрастает. этот режим называется пробоем p-n–перехода. с практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может к разрушению кристалла и является аварийным режимом. электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. одним из важных параметров приборов с электронно-дырочными является допустимое обратное напряжение uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.