Поле створене двома одноіменними (позитивними) зарядами по 10нКл кожний, що знаходяться на відстані 15см. Визначте
напруженість та потенціал електричного поля в точці, що
знаходиться на відстані 10см від одного та 12см від
другого заряду.

287

453

Посмотреть ответы 1

Ответы на вопрос:

Маджидия

Физика

4,5(100 оценок)

ответ:

объяснение:

при обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. этот ток называется обратным. т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. p-n-переход при обратном напряжении uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +qобр и –qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. эту емкость называют барьерной емкостью. барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости и уменьшении толщины запирающего слоя. особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость сб, уменьшается. характер этой зависимости показывает график на рисунке. как видно, под влиянием напряжения uобр емкость сб изменяется в несколько раз. зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. при достижении обратным напряжением критического значения uпр обратный ток резко возрастает. этот режим называется пробоем p-n–перехода. с практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может к разрушению кристалла и является аварийным режимом. электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. одним из важных параметров приборов с электронно-дырочными является допустимое обратное напряжение uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.

Реши свою проблему, спроси otvet5GPT

Быстро
Мгновенный ответ на твой вопрос
Точно
Бот обладает знаниями во всех сферах
Бесплатно
Задай вопрос и получи ответ бесплатно

Задай свой вопрос

Популярно: Физика

Есть вопросы?

Как otvet5GPT работает?

otvet5GPT использует большую языковую модель вместе с базой данных GPT для обеспечения высококачественных образовательных результатов. otvet5GPT действует как доступный академический ресурс вне класса.
Сколько это стоит?

Проект находиться на стадии тестирования и все услуги бесплатны.
Могу ли я использовать otvet5GPT в школе?

Конечно! Нейросеть может помочь вам делать конспекты лекций, придумывать идеи в классе и многое другое!
В чем отличия от ChatGPT?

otvet5GPT черпает академические источники из собственной базы данных и предназначен специально для студентов. otvet5GPT также адаптируется к вашему стилю письма, предоставляя ряд образовательных инструментов, предназначенных для улучшения обучения.