Есть ответ 👍

Один вати година дорівнює​

202
455
Посмотреть ответы 1

Ответы на вопрос:

ніка37654
4,7(84 оценок)

для понимания сути процессов, происходящих в диоде при работе в высокочастотных импульсных цепях рассмотрим прохождение через него прямоугольного сигнала (т.е. сигнала с малой длительностью фронта и среза). при этом диод включается по схеме, на рис. 3.1-1.

 

рис. 3.1-1. схема включения диода при рассмотрении переходных процессов

 

в случае, когда входной прямоугольный сигнал является двуполярным, переходные процессы в диоде будут характеризоваться диаграммами, представленными на рис. 3.1-2.

 

рис. 3.1-2. переходные процессы в диоде при прохождении через него двуполярного прямоугольного сигнала

 

для анализа зависимостей можно воспользоваться выражением для тока диода в переходном режиме:

iд=qбτб+dqбdt+cбdup−ndt  ,

где:

qб  — объемный заряд неосновных носителей в области базы диода; τб  — время жизни неосновных носителей в области базы; cб  — барьерная емкость перехода; up−n  — напряжение на  p-n-переходе диода.

 

первое слагаемое выражения связано с рекомбинацией неосновных носителей в области базы. второе слагаемое определяет изменение во времени объемного заряда неосновных носителей в области базы. третье — обусловлено перезарядом барьерной емкости  p-n-перехода при изменении входного сигнала во времени.

таким образом, основными причинами инерционности заряда являются: эффект накопления избыточного заряда в базовой области прибора и наличие барьерной емкости перехода.

 

рассмотрим участок времени  [t0; t1], когда входное напряжение скачком увеличивается от  –uвхобр  до  +uвхпр.

при увеличении прямого тока сопротивление базы диода уменьшается (эффект модуляции сопротивления области базы). поскольку скорость накопления избыточного заряда в области базы конечна, то установление прямого сопротивления диода требует некоторого времени. учитывая, что  rн≫rдпр, можно показать, что ток диода не зависит от его сопротивления. поэтому эффект модуляции сопротивления базы приводит к появлению резкого выброса напряжения на диоде при его включении.

перезаряд барьерной емкости диода  cб, наоборот, ведет к замедлению скорости увеличения напряжения на диоде.

вследствие действия двух противоположных тенденций реальный вид переходного процесса определяется конкретным соотношением параметров диода. при малых уровнях инжекции превалирующими являются процессы, связанные с перезарядом емкости  cб. при больших уровнях инжекции — процессы, связанные с изменением объемного заряда области базы. поэтому для диодов различных типов переходные процессы при включении могут иметь качественно отличный вид. на на рис. 3.1-2 диаграмме представлен случай большого уровня инжекции и соответственно малого влияния  cб.

длительность всплеска напряжения на диоде  τу  называется  временем установления. рассчитанное для  1,2uдпр, оно примерно равно:   τу≈2,3tб  , а максимальное падение напряжения на диоде:

uдпрmax≈φк+iпр⋅rдб,

где:

φк  — контактная разность потенциалов,rдб  — сопротивление области базы диода.

 

интервал времени [t1; t2] характеризует установившийся режим в диодном ключе. в базовой области диода накоплен избыточный заряд неосновных носителей  qб=iпр⋅τб. концентрация избыточных носителей при этом падает по мере удаления от перехода. прямой ток, протекающий через диод, равен:

iпр=uвхпр–uдпрrдпр+rн.

 

в момент времени  t2  входное напряжение изменяет свою полярность на обратную. однако до момента  t4  диод будет находиться в проводящем состоянии. до момента  t3  через него в обратном направлении будет протекать ток, импульсное значение которого  iобр  и соизмеримо с  iпр. далее, по мере рассасывания объемного заряда неосновных носителей в области базы и разряда барьерной емкости на интервале  [t3; t4], обратный ток через диод будет уменьшаться, стремясь к своему установившемуся значению.

Реши свою проблему, спроси otvet5GPT

  • Быстро
    Мгновенный ответ на твой вопрос
  • Точно
    Бот обладает знаниями во всех сферах
  • Бесплатно
    Задай вопрос и получи ответ бесплатно

Популярно: Физика

Caktus Image

Есть вопросы?

  • Как otvet5GPT работает?

    otvet5GPT использует большую языковую модель вместе с базой данных GPT для обеспечения высококачественных образовательных результатов. otvet5GPT действует как доступный академический ресурс вне класса.
  • Сколько это стоит?

    Проект находиться на стадии тестирования и все услуги бесплатны.
  • Могу ли я использовать otvet5GPT в школе?

    Конечно! Нейросеть может помочь вам делать конспекты лекций, придумывать идеи в классе и многое другое!
  • В чем отличия от ChatGPT?

    otvet5GPT черпает академические источники из собственной базы данных и предназначен специально для студентов. otvet5GPT также адаптируется к вашему стилю письма, предоставляя ряд образовательных инструментов, предназначенных для улучшения обучения.

Подпишись на наш телеграмм канал

GTP TOP NEWS