Ответы на вопрос:
ответ:
объяснение:
при обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. этот ток называется обратным. т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. p-n-переход при обратном напряжении uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +qобр и –qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. эту емкость называют барьерной емкостью. барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости и уменьшении толщины запирающего слоя. особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость сб, уменьшается. характер этой зависимости показывает график на рисунке. как видно, под влиянием напряжения uобр емкость сб изменяется в несколько раз. зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. при достижении обратным напряжением критического значения uпр обратный ток резко возрастает. этот режим называется пробоем p-n–перехода. с практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может к разрушению кристалла и является аварийным режимом. электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. одним из важных параметров приборов с электронно-дырочными является допустимое обратное напряжение uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.
Реши свою проблему, спроси otvet5GPT
-
Быстро
Мгновенный ответ на твой вопрос -
Точно
Бот обладает знаниями во всех сферах -
Бесплатно
Задай вопрос и получи ответ бесплатно
Популярно: Физика
-
danilcoptsov118.08.2022 09:43
-
dashafomina9419.10.2021 04:21
-
minskayai30.10.2022 12:36
-
khairulliniljap00rzn19.06.2020 15:40
-
roofers12.05.2021 04:38
-
Katya1750724.03.2021 04:50
-
sergiykorolkov810.10.2022 22:36
-
black9524.09.2020 18:29
-
adyan2204199609.07.2021 19:29
-
Slobodenyuk2120.08.2020 00:00
Есть вопросы?
-
Как otvet5GPT работает?
otvet5GPT использует большую языковую модель вместе с базой данных GPT для обеспечения высококачественных образовательных результатов. otvet5GPT действует как доступный академический ресурс вне класса. -
Сколько это стоит?
Проект находиться на стадии тестирования и все услуги бесплатны. -
Могу ли я использовать otvet5GPT в школе?
Конечно! Нейросеть может помочь вам делать конспекты лекций, придумывать идеи в классе и многое другое! -
В чем отличия от ChatGPT?
otvet5GPT черпает академические источники из собственной базы данных и предназначен специально для студентов. otvet5GPT также адаптируется к вашему стилю письма, предоставляя ряд образовательных инструментов, предназначенных для улучшения обучения.